分立半导体产品 / 晶体管 - FET, MOSFET - 单个 / FQD17N08LTF
商品分类 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET, MOSFET - 单个 |
品牌 | Rochester Electronics |
Series | QFET® |
Package | Bulk |
FET Type | N-Channel |
Vgs (Max) | ±20V |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Feature | - |
Part Status | Obsolete |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 6.45A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.9A (Tc) |
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