分立半导体产品 / 晶体管 - FET, MOSFET - 单个 / IRF6623
商品分类 | 分立半导体产品 - 晶体管 - FET, MOSFET - 单个 |
品牌 | IR (Infineon Technologies) |
Series | HEXFET® |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
FET Type | N-Channel |
Vgs (Max) | ±20V |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
FET Feature | - |
Part Status | Obsolete |
Mounting Type | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric ST |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 15A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 42W (Tc) |
Supplier Device Package | DIRECTFET™ ST |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360pF @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 55A (Tc) |
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